EEPROM存储芯片T24C02,可替代AT24C02
T24C02是一个2K位EEPROM存储芯片,可以完全替代AT24C02
工作温度:-40℃ to +85℃
工作电压:1.8V to 5.5V
两线串行接口
施密特触发器输入,过滤噪声抑制
双向数据传输协议
写保护引脚硬件数据保护
容量更大的有
T24C04
T24C08
T24C?16
T24C32??
T24C64
T24C128
T24C256
T24C512
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公司基本资料信息
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EEPROM存储芯片T24C02,可替代AT24C02
T24C02是一个2K位EEPROM存储芯片,可以完全替代AT24C02
工作温度:-40℃ to +85℃
工作电压:1.8V to 5.5V
两线串行接口
施密特触发器输入,过滤噪声抑制
双向数据传输协议
写保护引脚硬件数据保护
容量更大的有
T24C04
T24C08
T24C?16
T24C32??
T24C64
T24C128
T24C256
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公司其他供应信息 | MOS: 7N60 富鼎先进,成启 | MOS: 4N60 富鼎先进,成启 | MOS: 2N60 富鼎先进,成启 | 2N65 | MOS: 4N65 富鼎先进,成启 | 7N65 | MOS:2N80,3N80,8N80 | MOS: 2N90,3N90,7N90,8N90,9N90 | MOS:2N70,4N70,7N70,8N70,9N70 | MOS: 2N65,4N65,7N65,9N65,10N65 | MOS: 1N60,2N60,4N60,7N60,10N60 | MOS:100V | MOS: 80V | MOS: 75V | MOS: 60V | MOS: 40V | MOS: 35V | MOS: 30V | MOS: 20V | MOS: p沟道 -20V | MOS: p沟道 -30V | MOS: p沟道 -35V | MOS: p沟道 -40V | MOS: p沟道 -60V | MOS: p沟道 -80V | MOS: p沟道 -100V | MOS: p沟道 -140V | EEPROM存储芯片T24C02,可替代AT24C02 | AP2306AGN | AP2305AGN